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Supporting facilities

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Silicon carbide technology parameter

Silicon carbide technology parameter

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Introduction

	Direct bonding SiC	Compact SiC
W(F.C)%	≤1	≤1
W(Fe2O3	≤0.2	≤0.2
Pressure resisting(mpa)	≥229	≥300
Bending strength(mpa)	≥50	≥60
1400℃ bending strength(mpa)	≥60	≥70
Bulk density(g/cm3)	≥2.71	≥3.4
Apparent porosity(%)	≤15	≤1.5
1000℃ thermal conductive	≥27	≥45

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Changsha Nuotian Electric Heating Technology Co., Ltd

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